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Dimanche 19 Mai 2024

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Articles de revues (7)

: Correlation of photoluminescence spectra and structure of porous silicon B Bessaïs, H Ezzaouia, H Elhouichet, M Oueslati, R Bennaceur Thermal Science, N° 12,

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: Very High Silicon Concentration by MOVPE in GaAs L. Beji, Z. Chine, B. El Jani, M. Oueslati Thermal Science, N° 196,

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Origin of the photoluminescence shifts in porous silicon H. Elhouichet, B. Bessaïs, O. Ben Younes, H. Ezzaouia, M. Oueslati Thermal Science, N° 100,

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Anti-Stokes luminescence in nitrogen doped GaAs{1-x}P{x} alloys A. Meftah, M. Oueslati, D. Scalbert Thermal Science, N° 14,

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Changes in photoluminescence behaviour and structure of porous silicon related to preparation conditions and laser irradiation H. Elhouichet, B. Bessaïs, O. Ben younes, H. Ezzaouia, M. Oueslati Thermal Science, N° 26,

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: Influence of ionic character on GaAs 1− x P x :N photoluminescence spectra A. Meftah, M. Oueslati Thermal Science, N° 119,

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: Definition and Detection of Binocular Disparity H. Elhouichet, B. Bessais, H. Ezzaouia, O. Ben younes, M. Oueslati, J.S. Lappin, W.D. Craft Thermal Science, N° 37,

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